STGWT15H60F技术参数详情：
STGWT15H60F是ST意法半导体H系列中的一款沟槽栅场截止型IGBT，采用TO-3P-3通孔封装。其核心电气参数为600V集射极击穿电压和30A最大连续集电极电流，脉冲电流能力达60A，展现了强大的功率处理与过载能力。
该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅极电压、15A集电极电流条件下，其最大饱和压降仅为2V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量较低（开启136J，关断207J），开关延迟时间短，有助于提升系统效率并支持更高频率的开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性。
- 型号:STGWT15H60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-3P
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:136J（导通），207J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:81 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns
- 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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