STGWT20H65FB技术参数详情：
STGWT20H65FB是ST意法半导体生产的一款有源、高性能IGBT单管。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气参数包括650V的集射极击穿电压和40A的最大集电极电流，脉冲电流能力达80A，为系统提供了坚实的过载保障。
其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡：在15V栅极电压、20A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2V，有助于降低导通损耗；同时，其开关能量较低（开通77J，关断170J），开关速度快，适合高频开关应用。器件采用TO-3P-3通孔封装，最大功耗168W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛工业环境下的高可靠性和散热性能。
- 型号:STGWT20H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:168 W
- 开关能量:77J（导通），170J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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