STGWT20V60F技术参数详情：
STGWT20V60F是STMicroelectronics生产的一款600V、40A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-3PF通孔封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下，最大饱和压降（Vce(on)）仅为2.2V，实现了优异的导通效率。
其设计兼顾了动态性能与鲁棒性，开关能量分别为200J（开通）和130J（关断），最大功耗达167W，且结温工作范围宽至-55°C ~ 175°C。这些参数使其成为中功率开关应用的可靠选择，适用于电机驱动、逆变系统等对效率与可靠性有较高要求的领域。
- 型号:STGWT20V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:200J（导通），130J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:116 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
- 测试条件:400V，20A，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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