STGWT30H60DFB技术参数详情：
STGWT30H60DFB是ST意法半导体推出的一款600V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在30A电流下饱和压降典型值仅为2V，同时具备较低的开关能量与栅极电荷，有助于降低系统总损耗。
该器件支持高达120A的脉冲电流，最大功耗260W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛工况下的鲁棒性。这些特性使其成为工业电机驱动、变频电源及中大功率开关电源等应用中高效、可靠功率转换的理想解决方案。
- 型号:STGWT30H60DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:383J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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