STGWT30H65FB技术参数详情：
STGWT30H65FB是意法半导体生产的一款650V、30A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-3P-3通孔封装。该器件基于沟槽型场截止技术，实现了低导通压降与快速开关特性的良好结合，其最大饱和压降Vce(on)在30A电流下仅为2V，有助于降低导通损耗。
在开关性能方面，该IGBT具备快速的动态响应，其开关能量与延迟时间参数经过优化，有利于提升系统开关频率并减少开关损耗。器件额定功率为260W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和耐用性。这款标准输入型IGBT适用于需要高效、可靠功率开关的工业应用场景。
- 型号:STGWT30H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:151J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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