STGWT30V60F技术参数详情：
STGWT30V60F是ST意法半导体生产的一款600V、60A额定电流的绝缘栅双极型晶体管，采用TO-3PF封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在600V的集射极击穿电压下，实现了较低的导通压降（典型值2.3V @ 15V，30A）与优化的开关特性（开启能量383J，关断能量233J），旨在平衡导通损耗与开关损耗，提升整体能效。
其最大功耗为260W，可承受高达120A的脉冲电流，并支持-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在严苛工况下的鲁棒性与可靠性。这些特性使其成为工业电机驱动、电源逆变等中高功率开关应用的合适选择。
- 型号:STGWT30V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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