STGWT40H65FB技术参数详情：
STGWT40H65FB是ST意法半导体生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3L封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在15V驱动、40A电流条件下饱和压降仅2.3V，同时具备40ns/142ns的典型开关延迟，最大功耗达283W。
该器件设计坚固，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对可靠性和效率有严苛要求的工业环境。它主要定位为中高功率开关应用，是电机驱动、UPS和逆变器等系统实现高效功率转换的关键组件。
- 型号:STGWT40H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498mJ（导通），363mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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