STGWT40V60DF技术参数详情：
STGWT40V60DF是ST意法半导体生产的一款600V/80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在40A电流下饱和压降典型值仅为2.3V，有助于降低导通损耗；同时，其开关能量与反向恢复时间（41ns）指标优秀，能有效提升系统效率并减少电磁干扰。
该器件设计坚固可靠，最大功耗达283W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于严苛的工业环境。其标准输入特性便于驱动，结合80A的连续电流和160A的脉冲电流能力，使其成为电机驱动、工业逆变器及大功率开关电源等应用中提升功率密度和能效的关键组件。
- 型号:STGWT40V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:456J（导通），411J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):41 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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