STGWT80V60DF技术参数详情：
STGWT80V60DF是ST意法半导体生产的一款600V、120A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P封装。其核心卖点在于优异的导通与开关性能平衡，在80A电流下最大饱和压降仅2.3V，有效降低了导通损耗，同时具备1.8mJ（开）和1mJ（关）的低开关能量，支持高效的高速开关操作。
该器件设计坚固，集电极脉冲电流能力高达240A，最大功耗469W，并支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于环境苛刻的应用。其标准输入特性和明确的开关时序参数（如60ns开启延迟）为驱动电路设计提供了便利，使其成为工业电机驱动、UPS和逆变器等中高功率领域的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGWT80V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:448 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
- 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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