STH140N6F7-2

STH140N6F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流额定值。

其核心优势在于极低的功率损耗特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至3毫欧（@40A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V）。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合，使其在开关电源和电机驱动等应用中能同时实现低传导损耗和低开关损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达158W（Tc）的功率耗散和175°C的结温，确保了在高功率密度设计中的可靠运行。

• 型号:STH140N6F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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