STH140N6F7-6技术参数详情：
STH140N6F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（3.2毫欧@10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流能力，这使其在传导损耗方面表现优异，适用于高效率功率转换场景。
器件具备60V的漏源电压额定值，栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。其设计支持175°C的最高工作结温，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为电机驱动、同步整流和各类开关电源设计中追求高功率密度与高能效的关键功率开关元件选择。
- 型号:STH140N6F7-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
- 现在可以订购STH140N6F7-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
