STH145N8F7-2AG技术参数详情：
STH145N8F7-2AG是ST意法半导体推出的一款通过AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，属于STripFET F7系列。该器件采用先进的工艺技术，在H2PAK-2封装内实现了卓越的电气性能，其核心优势在于极低的导通电阻（4mΩ @ 10V, 45A）与高电流处理能力（90A连续漏极电流）的出色结合，这直接带来了更低的传导损耗和更高的功率密度。
该MOSFET设计用于80V电压系统，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合200W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛的汽车环境下的长期可靠性与稳定性，是汽车动力总成、电源转换及电机控制等应用的理想选择。
- 型号:STH145N8F7-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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