STH175N4F6-6AG技术参数详情：
STH175N4F6-6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。该器件隶属于STripFET F6系列，核心优势在于其优异的电气性能平衡，旨在为高电流、高效率应用提供可靠的开关解决方案。
其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为2.4毫欧 @ 60A，配合130nC @ 10V的最大栅极电荷，共同实现了低传导损耗与快速开关特性的结合。这些特性使其成为汽车电机驱动、电源转换等高要求应用的理想选择。
- 型号:STH175N4F6-6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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