STH185N10F3-6技术参数详情：
STH185N10F3-6是ST意法半导体推出的一款车规级N沟道功率MOSFET，隶属于Automotive, AEC-Q101, STripFET F3产品系列。该器件采用H2PAK-6封装，专为高功率密度和高可靠性应用而设计。
其核心电气参数表现出色，具备100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅4.5毫欧（@60A），这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为114.6nC，有利于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。
该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，符合汽车电子AEC-Q101标准，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，主要面向汽车领域的电机驱动、电源转换等高要求应用场景。
- 型号:STH185N10F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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