STH22N95K5-2AG技术参数详情：
STH22N95K5-2AG是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，属于其有源晶体管产品系列。该器件专为高压、高效率的功率开关应用而设计，其核心优势在于实现了高耐压能力与低导通损耗的优异结合。
通过采用先进的半导体工艺，该MOSFET提供了稳健的电气特性，旨在优化开关电源和功率转换系统的性能。其设计着重于降低导通电阻和栅极电荷，从而有效减少导通与开关过程中的能量损失，提升整体能效和功率密度。该器件适用于要求高可靠性和高效能的工业级应用环境。
- 型号:STH22N95K5-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STH22N95K5-2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
