STH250N55F3-6技术参数详情：
STH250N55F3-6是ST意法半导体推出的一款采用HPAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达180A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至2.6毫欧（@10V，60A），这能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体能效。
此外，该MOSFET具备100nC的低栅极电荷和55V的漏源电压额定值，支持快速开关操作，适用于高频开关电源设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为高功率密度DC-DC转换、电机驱动和电源逆变等应用的理想选择。
- 型号:STH250N55F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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