STH270N4F3-2技术参数详情：
STH270N4F3-2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级STripFET III产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至1.7毫欧（@10V, 80A），配合高达180A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够显著降低高电流应用中的传导损耗。
该器件采用HPAK封装，具备优异的散热特性，最大功率耗散达300W（Tc），工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。其40V的漏源电压和优化的栅极电荷（150nC @10V）使其成为汽车电机驱动、高效DC-DC转换及各类电源管理解决方案中的高性能开关元件。
- 型号:STH270N4F3-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
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