STH270N8F7-2

STH270N8F7-2是ST意法半导体推出的一款采用HPAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件基于DeepGATE技术，在80V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达180A（T_C）的电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、90A条件下，R_DS(on)最大值仅为2.1mΩ，可显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_G@10V最大193nC）与输入电容特性，确保了快速开关性能，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和大电流DC-DC变换等应用的理想选择。

• 型号:STH270N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
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