STH2N120K5-2AG技术参数详情：
STH2N120K5-2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道MOSFET。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心卖点在于其1200V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及优化的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为5.3nC，有助于实现高频高效开关操作。
在电气参数上，它在10V驱动电压下具有10欧姆的最大导通电阻（Rds(On)），连续漏极电流（Id）额定值为1.5A（Tc）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和60W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了其在汽车及工业高压电源应用中的长期可靠性与稳定性。
- 型号:STH2N120K5-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:124 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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