STH310N10F7-6技术参数详情：
STH310N10F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII与DeepGATE技术的产品系列。该器件在100V的漏源电压下，能够提供高达180A（Tc）的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧 @ 60A, 10V，这显著降低了功率传导损耗。
此外，器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷（180nC @ 10V），有助于提升开关速度并降低驱动损耗。其采用H2PAK-6表面贴装封装，支持315W（Tc）的功率耗散和-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与热性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动方案的理想选择。
- 型号:STH310N10F7-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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