STH360N4F6-2技术参数详情：
STH360N4F6-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，旨在提供卓越的功率处理能力和效率。
其核心电气参数表现为高电流与低损耗的结合：在壳温25°C下连续漏极电流额定值达180A，同时在10V栅极驱动下导通电阻典型值极低，最大仅1.25毫欧（@60A）。40V的漏源电压使其适用于中低压大电流场景，而宽结温范围（-55°C至175°C）则保证了环境适应性。
- 型号:STH360N4F6-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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