STH3N150-2技术参数详情：
STH3N150-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用HPAK表面贴装封装，核心优势在于其高达1500V的漏源击穿电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流处理能力，专为高压、高可靠性应用而设计。
其技术参数表现出优异的开关效率，最大栅极电荷（Qg）仅为29.3nC，且导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下低至9欧姆，这有效降低了导通与开关损耗。结合140W的最大功率耗散和150°C的最高工作结温，STH3N150-2为工业电源、能源转换等严苛环境提供了坚固且高效的功率开关解决方案。
- 型号:STH3N150-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
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