STH400N4F6-2

STH400N4F6-2是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装，符合汽车级AEC-Q101标准。该器件核心特性在于其卓越的导通性能与开关效率的平衡。

其关键参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达180A（T_C）的连续漏极电流能力。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至1.15毫欧（@60A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为404nC，这共同确保了极低的导通损耗和快速的开关速度，有效提升系统整体能效。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的汽车电子及工业电源应用场景。

• 型号:STH400N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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