STH400N4F6-6技术参数详情：
STH400N4F6-6是ST意法半导体基于Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，设计用于高电流、高效率的开关应用。
其核心电气特性包括40V的漏源电压（Vdss）以及高达180A（Tc）的连续漏极电流。关键优势在于极低的导通电阻，典型值仅为1.15毫欧（@60A，10V），这能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为404nC，有助于实现快速的开关速度。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了汽车级AEC-Q101认证，确保了在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STH400N4F6-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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