STH80N10LF7-2AG技术参数详情：
STH80N10LF7-2AG是ST意法半导体基于STripFET技术开发的AEC-Q101汽车级N沟道功率MOSFET。该器件在100V漏源电压下提供高达80A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（10毫欧 @ 40A, 10V）与优化的栅极电荷（28.3nC @ 4.5V），这共同实现了卓越的功率转换效率和低开关损耗。
器件采用H2PAK-2功率封装，确保了出色的热性能和110W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，满足严苛环境下的可靠性要求。这些特性使其成为汽车电子（如电机驱动、DC-DC转换）和高可靠性工业电源系统中高效功率开关应用的理想选择。
- 型号:STH80N10LF7-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.3 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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