STI12NM50N

STI12NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，核心优势在于500V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的结合，同时保持了较低的栅极电荷（30nC @10V），这使其在高压开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗。

器件在25°C（Tc）条件下可提供11A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为100W，采用坚固的I2PAK通孔封装，便于散热设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±25V的栅极电压耐受能力，确保了在工业级应用环境中的高可靠性与稳定性。

• 型号:STI12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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