STI14NM65N

STI14NM65N是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压和12A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在导通特性方面，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为380mΩ，有效降低了导通损耗。在开关特性上，最大栅极电荷（Q_g）低至45nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性共同确保了在开关电源等应用中的高效率运行。

此外，器件支持高达150°C的结温工作，并具备125W的功率耗散能力，展现了强大的热管理和功率处理性能，适用于工业电源、电机驱动及各类离线式功率转换系统。

• 制造商产品型号：STI14NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
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