STI150N10F7技术参数详情：
STI150N10F7是意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK（TO-262）通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，在10V栅极驱动下，55A电流时导通电阻最大值仅为4.2毫欧，有效降低了传导损耗。
该器件额定漏源电压为100V，在壳温条件下可连续通过110A电流，最大功率耗散达250W。其栅极电荷典型值为117nC，有助于实现高效率的高频开关操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的功率转换与电机控制应用。
- 型号:STI150N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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