STI175N4F6AG技术参数详情：
STI175N4F6AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，设计用于处理高达120A的连续电流，其漏源电压额定值为40V。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和60A Id条件下典型值仅为2.7毫欧，这能显著降低功率应用中的传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大130nC）有助于实现高效的开关操作。该器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，适用于要求高可靠性和高效率的电源转换与电机控制应用。
- 制造商产品型号：STI175N4F6AG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F6
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 60A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7735pF @ 20V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK（TO-262）
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