STI18N65M2技术参数详情：
STI18N65M2是意法半导体基于MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其650V的漏源击穿电压（Vdss）与低至330毫欧（@6A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，旨在显著降低高压应用中的导通损耗。
其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为20nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件额定连续漏极电流（Id）为12A（Tc），最高结温（Tj）达150°C，功率耗散能力为110W（Tc），确保了在持续高功率运行下的稳定性。这些参数使其成为高效率开关电源、电机驱动和工业电源系统中高性能功率开关的理想选择。
- 型号:STI18N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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