STI18NM60N

STI18NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至285毫欧（@6.5A），能显著降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大35nC）和输入电容（Ciss，最大1000pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升系统效率与频率。器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，最大功耗110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力与环境适应性。

• 型号:STI18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI18NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。