STI24N60M6

STI24N60M6是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压与强电流处理能力的应用而优化。

得益于MDmesh M6超结技术，该MOSFET在单位芯片面积上实现了极低的导通电阻，这直接转化为更低的传导损耗和更高的工作效率。其设计平衡了开关性能与稳健性，使其成为提升开关电源功率密度和可靠性的关键元件。

因此，STI24N60M6主要面向工业级开关电源、功率因数校正、电机驱动及UPS系统等应用，为设计工程师提供了一个在高功率场景下兼顾性能与散热需求的可靠解决方案。

• 型号:STI24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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