STI24NM65N

STI24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用MOSFET（金属氧化物）技术，关键电气规格包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下19A的连续漏极电流（Id）承载能力。

其核心优势在于实现了高压与低损耗的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧（@9.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值低至70nC（@10V），这共同确保了高效的电能转换与快速的开关速度。器件采用I2PAK通孔封装，最大功耗为160W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的功率开关场合。

• 型号:STI24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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