STI26NM60N

STI26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔式I2PAK封装，核心设计旨在为高压、高功率应用提供优异的开关性能与可靠性。

其关键电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），确保了在严苛工况下的稳健运行。通过优化的技术，该MOSFET实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接有助于降低系统的导通损耗与开关损耗，从而提升整体能效。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及能源转换系统中功率开关部分的理想选择。

• 型号:STI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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