STI28N60M2

STI28N60M2是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2系列。该器件设计用于高压高效开关应用，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下22A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至150毫欧（@11A），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为36nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。其采用I2PAK（TO-262）通孔封装，提供良好的功率处理与散热能力。

• 型号:STI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI28N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。