STI33N60M6技术参数详情：
STI33N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M6技术，封装形式为TO-262（I2PAK）。该器件核心优势在于其高压大电流处理能力，具备600V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为125毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值33.4nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。器件结温最高可达150°C，功率耗散能力达190W，确保了在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STI33N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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