STI55NF03L

STI55NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其优异的电气特性组合。

其技术参数定义了强大的性能：30V的漏源电压和55A的连续漏极电流处理能力，配合低至13毫欧（@10V，27.5A）的导通电阻，确保了在高电流应用中的高效能与低损耗。同时，其2.5V的最大栅极阈值电压和27nC（@4.5V）的低栅极电荷，使其易于驱动并能实现快速开关，非常适合高频开关电源设计。

此外，器件支持高达80W的功率耗散，并拥有-60°C至175°C的宽结温工作范围，这为其在 demanding 的工业与汽车应用环境中提供了坚实的可靠性保障。

• 型号:STI55NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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