STI6N80K5技术参数详情：
STI6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合了低至1.6欧姆（@10V，2A）的导通电阻，为高压应用提供了优异的导通效率。
器件在开关性能上表现突出，其最大栅极电荷（Qg）仅为7.5nC，输入电容（Ciss）最大值为255pF，这确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗。采用I2PAK（TO-262）通孔封装，在壳温条件下支持4.5A连续电流和85W功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力和环境适应性。
- 型号:STI6N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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