STK28N3LLH5技术参数详情：
STK28N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PolarPak封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件设计用于提供优异的功率处理能力与散热效能。
其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id）。关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和14A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.5毫欧，配合19nC的低栅极电荷（Qg），共同确保了极低的传导损耗与开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用表面贴装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和热管理要求严格的应用环境。
- 制造商产品型号：STK28N3LLH5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET V
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 14A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±22V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：5.2W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PolarPak
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