STK820技术参数详情：
STK820是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列，并采用创新的PolarPak封装。该器件额定漏源电压为25V，在25°C下可承载高达21A的连续电流，其核心电气优势在于极低的导通电阻，在特定条件下Rds(On)最大值仅为7.3毫欧，能显著降低功率损耗。
此外，该MOSFET具备快速的开关特性，其最大栅极电荷低至9.5nC，栅极阈值电压最大为2.5V，便于驱动电路设计并提升开关频率。其封装针对散热进行了优化，最大结温为150°C，采用表面贴装形式，适用于高密度PCB布局。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STK820
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1425 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Ta）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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