STL100N1VH5

STL100N1VH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET V产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了高达100A（T_C）的连续漏极电流处理能力，其最大漏源电压为12V。

其核心技术优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至3毫欧，同时最大栅极电荷（Q_g）仅为26.5nC。这一组合特性使其成为高效率、高频率开关电源应用的理想选择，例如同步整流和DC-DC降压转换。

• 型号:STL100N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 12.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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