STL100N6LF6

STL100N6LF6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其优异的高电流处理能力与低导通损耗的平衡，其连续漏极电流（I_D）在壳温条件下可达100A，而导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS下典型值仅为4.5毫欧。

此外，其130nC的低栅极电荷（Q_G）有助于实现高效的快速开关操作，降低驱动损耗。器件采用紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），适用于高功率密度和高可靠性的电源转换与电机控制应用。

• 型号:STL100N6LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL100N6LF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。