STL10N3LLH5

STL10N3LLH5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET V产品系列。该器件采用表面贴装型PowerFlat封装（3.3x3.3），在紧凑的尺寸内提供了30V的漏源电压（Vdss）和高达9A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为19毫欧，能有效降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值6nC @ 4.5V）确保了快速的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），热性能出色，适用于高可靠性要求的应用环境。

• 型号:STL10N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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