STL10N60M2技术参数详情：
STL10N60M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh II Plus技术。该器件额定电压为600V，连续漏极电流达5.5A，专为高效功率转换而设计。
其核心优势在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V驱动下，导通电阻最大值仅为660毫欧，同时栅极电荷被优化至13.5nC，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗。器件采用热性能卓越的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，适用于高功率密度设计。
- 型号:STL10N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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