STL110N10F7技术参数详情：
STL110N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术和PowerFlat（5x6）表面贴装封装。其核心卖点在于极低的导通电阻（6mΩ @ 10A, 10V）和较低的栅极电荷（72nC @ 10V），这共同实现了卓越的功率转换效率与快速的开关性能。
该器件额定参数为100V漏源电压和107A连续漏极电流（Tc），具备强大的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和136W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的高可靠性，是高功率密度设计的理想选择。
- 型号:STL110N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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