STL110N4F7AG技术参数详情：
STL110N4F7AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F7技术，封装于紧凑的PowerFlat（5x6）中。该器件核心优势在于其极低的导通电阻（4毫欧 @ 10V, 54A）与高电流处理能力（108A连续漏极电流）的出色结合，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。
其电气参数针对高性能开关应用进行了优化，栅极电荷（Qg）低至15nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。同时，它满足AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保了在严苛的汽车电子环境下的长期可靠性。这些特性使其成为汽车电机控制、电源转换及高密度功率管理等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STL110N4F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4毫欧 @ 54A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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