STL110NS3LLH7

STL110NS3LLH7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET H7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在30V的漏源电压下，能够支持高达120A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，可显著降低功率转换过程中的传导损耗。

该MOSFET具备优异的开关特性，其低栅极电荷和输入电容有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统在高频下的工作效率。其采用热性能出色的PowerFlat表面贴装封装，适用于空间受限且对散热要求高的应用场景，为设计高功率密度、高效率的电源解决方案提供了可靠的半导体基础。

• 型号:STL110NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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