STL120N8F7

STL120N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在80V的漏源电压（V_DSS）规格下，实现了极低的导通电阻（R_DS(on)最大4.4mΩ）与出色的电流处理能力（连续漏极电流I_D达120A），旨在最大限度地降低功率损耗。

其优化的栅极电荷（Q_g最大60nC）确保了高效的开关性能，适合高频应用。器件采用热增强型PowerFlat（5x6）表面贴装封装，提供卓越的散热能力，支持高达175°C的结温（T_J）和140W（T_C）的功率耗散，为高功率密度和高可靠性的电源与电机驱动解决方案提供了核心组件。

• 型号:STL120N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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