STL12HN65M2技术参数详情：
STL12HN65M2是ST意法半导体生产的一款采用PowerFlat HV封装的表面贴装功率MOSFET。该器件属于晶体管- FET， MOSFET - 单个系列，目前处于有源供应状态。
其核心电气参数包括在壳温25°C下可达6A的连续漏极电流（Id），这为其提供了稳健的电流处理能力。紧凑的PowerFlat（5x6）HV封装设计在确保高效散热的同时，最大限度地节省了PCB空间，非常适合高密度功率电路设计。
- 制造商产品型号：STL12HN65M2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET POWERFLAT HV
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerFlat（5x6）HV
- 现在可以订购STL12HN65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
