STL12N3LLH5

STL12N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET V系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够处理高达12A的连续电流，并实现了极低的导通电阻（典型值9mΩ @ 10V, 6A）与栅极电荷（12nC @ 4.5V），这使其在开关电源和功率控制应用中能显著降低导通与开关损耗。

器件采用紧凑的PowerFlat表面贴装封装，具有良好的散热性能和空间利用率。其栅极驱动兼容标准逻辑电平，便于设计。这些特性使其成为低压、高电流密度应用，如DC-DC转换、电机驱动和负载管理的理想选择，旨在提升系统效率和功率密度。

• 型号:STL12N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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